收藏本站
SUP60N10-16L
Vishay Siliconix
THERMAL RATINGS
Maximum Avalanche and Drain Current
80
70
vs. Case Temperature
1000
Safe Operating Area
60
50
100
10 m s
100 m s
40
30
20
10
1
Limited
by r DS(on)
T C = 25 _ C
1 ms
10 ms
100 ms
dc
10
0
0.1
Single Pulse
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
10
100
1000
T C - Ambient Temperature ( _ C)
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
Square Wave Pulse Duration (sec)
Document Number: 71928
S-03600—Rev. B, 31-Mar-03
www.vishay.com
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SUP60N10-18P-E3 MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB
SUP65P04-15-E3 MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB
SUP75N03-04-E3 MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB
SUP75P03-07-E3 MOSFET P-CH D-S 30V TO220AB
SUP90N08-7M7P-E3 MOSFET N-CH D-S 75V TO220AB
SUP90P06-09L-E3 MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
SUV85N10-10-E3 MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB
SV-LED-125E HEATSINK DEGREASED 25.4MM
相关代理商/技术参数
SUP60N10-18P-E3 功能描述:MOSFET 100V 60A 150W 18.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP60N6-18 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:
SUP65P04-15 功能描述:MOSFET 40V 65A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP65P04-15-E3 功能描述:MOSFET 40V 65A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP65P06 制造商:TEMIC 制造商全称:TEMIC Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Transistors
SUP65P06-20 功能描述:MOSFET 60V 65A 187W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP65P06-20 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P TO-220
SUP65P06-20-E3 功能描述:MOSFET 60V 65A 187W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube